Ho, Cr, Tm: YAG - Kromo, Tulio eta Holmio ioiekin dopatua
Produktuaren deskribapena
Kristal kristalaren berezko abantaila YAG ostalari gisa erabiltzen duela da. YAG-en propietate fisikoak, termikoak eta optikoak ondo ezagutzen eta ulertzen ditu laser-diseinatzaile guztiek.
Diodo edo lanpara-laserrek eta 1350 eta 1550 nm arteko irteera sintonizagarria duten laser exekutatuek CTH:YAG (Cr,Tm,Ho:YAG) erabiltzen dute. Eroankortasun termiko handia, egonkortasun kimiko sendoa, UV argiarekiko erresistentzia eta kalte-atalase handia dira Cr4+:YAG-en ezaugarriak. American Elements-ek ASTM proben estandar aplikagarriak betetzen ditu eta hainbat maila estandarrekin ekoizten ditu, besteak beste, Mil Spec (maila militarra), ACS, Erreaktiboa eta Kalifikazio Teknikoa, Elikadura, Nekazaritza eta Farmazia Kalifikazioa, Kalifikazio Optikoa, USP eta EP/BP (Europako Farmakopea). /British Pharmacopeia), besteak beste. Enbalatzeko aukera estandarrak eta bakarrak daude. Garrantzitsuak diren neurketa-unitate askoren artean bihurtzeko Erreferentzia-kalkulagailua ere eskaintzen da, beste informazio tekniko, ikerketa eta segurtasun (MSDS) batekin batera.
Ho:Cr:Tm:YAG kristalaren abantailak
● Malda-eraginkortasun handia
● Flash lanpara edo diodoaren bidez ponpatzen da
● Ondo funtzionatzen du giro-tenperaturan
● Begietarako nahiko segurua den uhin-luzera tartean funtzionatzen du
Ioi dopatzailea
| Cr3+ kontzentrazioa | %0,85 |
| Tm3+ Kontzentrazioa | %5,9 |
| Ho3+ Kontzentrazioa | %0,36 |
| Funtzionamendu-zehaztapena | |
| Igorpenaren uhin-luzera | 2.080 um |
| Laser Trantsizioa | 5I7 → 5I8 |
| Flouresence Bizitza osoan | 8,5 ms |
| Ponpa Uhin-luzera | flash lanpara edo diodoa ponpatu @ 780 nm |
Oinarrizko propietateak
| Hedapen Termikoaren Koefizientea | 6,14 x 10-6 K-1 |
| Difusibotasun termikoa | 0,041 cm2 s-2 |
| Eroankortasun termikoa | 11,2 W m-1 K-1 |
| Bero espezifikoa (Cp) | 0,59 J g-1 K-1 |
| Kolpe Termikoen Erresistentzia | 800 W m-1 |
| Errefrakzio-indizea @ 632,8 nm | 1.83 |
| dn/dT (Errefrakzio-indizearen koefiziente termikoa) @ 1064 nm | 7,8 10-6 K-1 |
| Urtze-puntua | 1965 ℃ |
| Dentsitatea | 4,56 g cm-3 |
| MOHS gogortasuna | 8.25 |
| Gazteen Modulua | 335 Gpa |
| Trakzio Erresistentzia | 2 Gpa |
| Kristal Egitura | Kubikoa |
| Orientazio estandarra | |
| Y3+ Gunearen Simetria | D2 |
| Sarearen konstantea | a=12,013 Å |
| Pisu Molekularra | 593,7 g mol-1 |
Parametro Teknikoak
| Dopanteen Kontzentrazioa | Ho: ~0,35@% Tm: ~5,8@% Cr: ~1,5@% |
| Wavefront Distortsioa | ≤0,125ʎ/inch@1064nm |
| Hagaxka Tamainak | Diametroa: 3-6 mm |
| Luzera: 50-120 mm | |
| Bezeroak eskatuta | |
| Dimentsio-perdoiak | Diametroa: ± 0,05 mm Luzera: ± 0,5 mm |
| Upel akabera | Beheko akabera:400#Grit |
| Paralelismoa | < 30" |
| Perpendikulartasuna | ≤5′ |
| Lautasuna | ʎ/10 |
| Azalera Kalitatea | 10/5 |
| AR estaldura Reflektibitatea | ≤0,25%@2094nm |
